問題：

如何可能改變一個參數(shù)在一個給定的時間域模擬。例如，在某個時間打開或關閉開關，或隨時間改變電阻器的值。

回答：

INTERCONNECT中的元素的屬性在時域模擬過程中是固定的，所以在模擬過程中不能改變它們。***改變的元件參數(shù)是那些依賴于輸入信號的值，例如調(diào)制器的有效指數(shù)，它依賴于輸入電信號。創(chuàng)建隨時間變化的屬性的一種可能方法是使用Scripted Element，但這是一種高級特性，可能需要用戶花費大量開發(fā)時間。

問題：

波段偏移量(twlm。在Lumerical TWLM激光模型中定義QB和TWLM . schb) ?它們僅僅是量子阱和勢壘之間的導帶偏移還是量子阱和勢壘之間的帶隙能量差?

回答：

QB為量子勢壘高度，SCHB為SCH勢壘高度。

問題：

我需要得到電壓-相位變化關系，所以我使用CHARGE和FDE來得到neff的變化。對此，我有以下幾點疑問:

1)我可以在CHARGE中模擬類似鈮酸鋰的材料嗎?我的意思是它支持鈮酸鋰的各向異性介電常數(shù)嗎?

2)如果是，我如何定義它的材料屬性?我是否需要在電場極化和變化的異常軸(xcut LNOI)方向上給出它的相對介電常數(shù)?

3)在絕緣體屬性中(SiO2)有一個相對介電常數(shù)的選項，但這也是頻率和溫度的函數(shù)(https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s40145-015-0176-7.pdf)所以我怎么做;我應該在哪個頻率選擇相對介電常數(shù)?

4) 默認數(shù)據(jù)庫中給出的所有材料的熱性能值都是相同的，不會影響模擬嗎?

回答：

A1:目前CHARGE不支持各向異性材料。

A2: 您可以嘗試進行兩次(no, ne)或三次模擬(如果nxx、nyy和nzz的值不同)，并檢查結果，看看差異是否很大。(這超出了論壇范圍，但值得嘗試，個人，并讓我知道你的結果)。

A3:CHARGE只使用直流介電常數(shù)，因為電荷傳輸方程只處理靜態(tài)場:CHARGE求解器引入的場不依賴于頻率。其他參數(shù)可以隨溫度變化而變化，但直流介電常數(shù)默認不變。如果變化較大，你可以嘗試在不同的溫度下使用不同的直流介電常數(shù)值(同樣，這超出了論壇的范圍，但你可以嘗試并看到差異。我認為這樣的改變將是***小的)。

A4: 如果你沒有模擬與HEAT耦合，它假設溫度不會因為CHARGE而改變。如果參數(shù)隨溫度變化而影響結果，可以使用HEAT進行聯(lián)合模擬。

問題：

老師您好，我想在FDTD中仿真如圖所示的具有SWG結構的Grating Coupler，需要在頂部的Si中刻蝕掉一系列尺寸漸變的長方體洞（圖中黃色是頂部的Si，紫色為底部的SiO2）。FDTD中是否可以通過布爾運算來實現(xiàn)這樣的結構？還是只能通過mesh order來實現(xiàn)？另外所刻掉的一系列長方體尺寸之間具有線性關系，是否可以直接通過一個長方體和函數(shù)關系來生成這樣的整個陣列？

回答：

不能通過布爾運算來實現(xiàn)這樣的結構， 只能通過mesh order來實現(xiàn)?？梢杂媒Y構組，用腳本完成設置，或者手工一個一個添加、Copy。請參見器件庫中的結構組了解如何設置。

問題：

是否有可能運行沒有X服務器的Lumerical腳本?我目前在我們的HPC集群上運行這樣的命令，但注意到它需要X11轉發(fā)和一個X服務器:fdtd-solutions -nw -run ./script。lsf。/例子。fsp是否可以在沒有X服務器的情況下運行腳本?這樣就可以在HPC作業(yè)中提交它們，還可以避免由于Xming崩潰等原因?qū)е碌拿钍　?/p>

回答：

腳本是CAD/GUI的一部分。當運行腳本時，它將始終需要GUI環(huán)境和GUI許可證。我們有這個虛擬展示。否則，請咨詢IT/集群管理員安裝GUI/桌面環(huán)境(即Gnome)。