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【案例】表面等離子體諧振納米光刻

發(fā)布日期:
2022-07-27

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這個例子展示了如何創(chuàng)建表面等離子體共振納米光刻接觸掩模的FDTD模型[1]。在FDTD布局編輯器中顯示了通過石英襯底(藍色)、銀色接觸掩模(灰色)、光刻膠(粉色)和硅晶圓(紅色)的二維截面,以及模擬中使用的源和監(jiān)視器。


步驟一:建立模型

光刻膠選用rectangle structure,幾何參數如圖一,材料選擇photoresist。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖一


石英襯底選用rectangle structure,幾何參數如圖二,材料選擇quartz substrate。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖二


硅晶圓選用rectangle structure,幾何參數如圖三,材料選擇silicon wafer。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖三


銀色接觸掩模選用rectangle structure,幾何參數如圖四,材料選擇silicon wafer。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖四


步驟二:建立光源

模型建立完畢,接下來設置光源。

光源選擇平面光,無相位延遲,幾何參數如圖五所示。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖五


步驟三:建立仿真區(qū)域

下一步設置仿真區(qū)域,幾何參數如圖六。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖六


步驟四:創(chuàng)建監(jiān)視器

監(jiān)視器1選用DFT監(jiān)視器,幾何參數如圖七。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖七


監(jiān)視器2選用時間監(jiān)視器,幾何參數如圖八。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖八


監(jiān)視器3選用電影監(jiān)視器,幾何參數如圖九。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖九


監(jiān)視器4選用DFT監(jiān)視器,幾何參數如圖十。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖十


步驟五:加載腳本語言

Lumerical腳本語言代碼:


run; f=getdata('Monitor1','f'); x=getdata('Monitor1','x'); y=getdata('Monitor1','y'); simf=f(1); E2=getelectric('Monitor1'); #?plot?cross?section?of?nearfieldimage(x*1e9,y*1e9,E2,'x?(nm)','y?(nm)','Nearfield?intensity?(logscale)','logplot'); #?plot?y-slice?of?near?field?in?middle?of?photoresist? yslice=46; ?y(yslice)*1e9; title='Near?field?intensity?@'+num2str(c/simf*1e9)+'?nm'; plot(x*1e9,pinch(E2,2,yslice),'x?(nm)',title);


步驟六:結果分析

運行腳本后得到如下結果。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖十一


結果分析:通過銀掩模層(y = 0 ~ 60 nm)和光阻層(y = -50 ~ 0 nm)的橫截面近場強度的圖以對數刻度表示。在銀掩膜/光刻膠界面上可以清楚地看到表面等離子體模。周期結構允許法向入射光束與反向傳播的表面等離子體波耦合,從而引起光刻膠層內部近場強度的亞波長變化[2]。


【案例】表面等離子體諧振納米光刻

圖十二


結果分析:可以看出,在光阻層中間,距離接觸掩模30 nm處的近場光強被繪制成位置的函數。所示的高對比度允許極小尺寸約80納米的圖案轉移到光刻膠上。用表面等離子體實現的亞波長結果遠遠低于436 nm源的衍射極限,因此適合納米光刻應用。


參考文獻:

[1]葛偉豪. 基于表面等離子體共振腔的可調諧納米光刻技術研究[D].蘇州大學,2011.

[2]劉洪超. 基于表面等離子體的超分辨干涉光刻原理和方法研究[D].中國科學院大學(中國科學院光電技術研究所),2018.




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