本期我們將開始一個新的系列專題——有源光子器件的設(shè)計與仿真，涉及到調(diào)制器、探測器、激光器在內(nèi)的眾多有源器件。我們將以Ansys Lumerical上的案例為基礎(chǔ)，從基本的硅光調(diào)制器開始，介紹調(diào)制器的基本原理、性能指標、常見結(jié)構(gòu)、設(shè)計流程、建模仿真等步驟，使用Ansys Lumerical CHARG、HEAT以及INTERCONNECT等軟件，最終完成單個光子器件到光子集成電路的仿真設(shè)計。接下來讓我們從光學調(diào)制的基本概念開始。
在介紹硅光調(diào)制器的之前，首先解決一個問題：什么是光學調(diào)制？我們不難找到它的定義，即“光調(diào)制技術(shù)就是將一個攜帶信息的信號疊加到載波光波上的一種調(diào)制技術(shù)”，這個定義更偏向于光學通信。從光學原理的角度來看，光學調(diào)制則是改變光信號的強度（振幅）、頻率、相位、傳播方向等一個或多個特征參數(shù)的過程。在這些參數(shù)中，大部分光探測器（包括人眼）對光強（振幅）最為敏感，且其他光學參數(shù)如頻率、相位等也可以通過光強的變化來表達，因此可以通過檢測光強（振幅）的變化來檢測光學調(diào)制的效果。光學調(diào)制的作用可歸納為以下幾個方面：首先對于光纖通信而言，光學調(diào)制可以將電信號轉(zhuǎn)換為光信號，以便在光纖中實現(xiàn)高速度、大容量、高帶寬、低損耗、以及抗電磁干擾能力強的數(shù)據(jù)傳輸。此外通過復雜的調(diào)制方式，光信號的攔截和竊聽更為困難，因此具有較高的安全性。其次，在光子集成電路中，光學調(diào)制器可以與其他光電子器件高密度集成在一個芯片上，用于各種光信號處理應用，包括復用、解復用、路由等。在數(shù)據(jù)中心和高性能計算系統(tǒng)中，光學調(diào)制可用于實現(xiàn)高速光互連，大幅提高數(shù)據(jù)交換速度，減少延遲，提升整體計算效率。最后在測量和傳感領(lǐng)域，光學調(diào)制技術(shù)也有廣泛應用，如光纖傳感器和干涉儀測量。
從技術(shù)實現(xiàn)的角度來看，集成光調(diào)制器按照調(diào)制方式的不同可分為，直接（內(nèi)部）調(diào)制器件和外部調(diào)制器件。
直接調(diào)制器件是將射頻信號（或稱調(diào)制信號）與驅(qū)動電流耦合，直接驅(qū)動光源進行電光調(diào)制（示意圖如下），典型的例子為具有泵浦電流調(diào)制功能的常用半導體激光二極管，可以在高達30 GHz以及更高的頻率下工作。優(yōu)點為結(jié)構(gòu)簡單、易于實現(xiàn)，技術(shù)較為成熟，缺點為調(diào)制頻率易受到限制，且輸出光信號的頻率也會隨注入電流變化出現(xiàn)啁啾現(xiàn)象，因此不適用于高速率以及長距離的通信場景。外部調(diào)制器件也稱為間接調(diào)制一方面可以通過改變材料對光的吸收，改變光信號的強度，進而達到調(diào)制光信號的目的，另一方面可以利用外加各種形式的能量使材料折射率發(fā)生變化，引起光信號強度發(fā)生變化。因此外部調(diào)制器件也可分為電吸收型和折射率改變型，根據(jù)能量形式的不同，折射率改變型又可分為：電光調(diào)制、熱光調(diào)制、聲光調(diào)制以及磁光調(diào)制。(一)泡克耳斯效應：折射率實部變化引起相位調(diào)制
- 泡克耳斯效應（Pockels effect）是電光效應的一種，由于其外加電場引起的晶體折射率變化正比于電場強度， 因此又稱作線性電光效應。此外，還有二階非線性電光效應—克爾效應，其外加電場引起的晶體折射率變化正比于電場強度的平方。兩種效應的折射率對外加電場的依賴關(guān)系如下：
應用范圍：InP、鈮酸鋰、有機電光材料等，Ansys Lumerical中的案例為Thin Film Lithium Niobate Electro-Optic Phase Modulator：
(二)弗朗茲－凱爾迪什效應：折射率虛部變化實現(xiàn)強度調(diào)制- 弗朗茲－凱爾迪什效應(Franz-Keidysh, F-K）是電吸收效應的一種，指的是在外加電場作用下某些半導體的能帶發(fā)生彎曲，使得導帶和價帶間的帶隙發(fā)生變化，價帶電子通過隧穿躍遷到導帶的幾率大大增加，有效能隙減小，使得吸收邊發(fā)生紅移。原理圖如下：
應用范圍：Ge、GeSe等材料，Ansys Lumerical中的相關(guān)案例為：T Electro-absorption modulator
(三)量子限制斯塔克效應：折射率虛部變化實現(xiàn)強度調(diào)制- 量子限制斯塔克效應(quantum confined stark effect, QCSE)反映了量子阱結(jié)構(gòu)光學吸收譜在外加垂直電場作用下的變化，如圖所示，電子和空穴被束縛在量子阱中。外加電場后，束縛的電子和空穴形成激子。與Franz–Keldysh效應類似，在外加電場的作用下，量子阱結(jié)構(gòu)能帶發(fā)生傾斜，使得有效帶隙降低，吸收邊紅移。
圖6：量子限制斯塔克效應效應
應用范圍：InP、GaAs-AlGaAs等材料，Ansys Lumerical中的相關(guān)案例為：GaAs-AlGaAs Electro Absorption Modulator
圖7：GaAs-AlGaAs電吸收調(diào)制器(四)等離子體色散效應
等離子體色散效應（plasma dispersion, PD）指的是材料中自由載流子的濃度對材料折射率的實部和虛部都會產(chǎn)生影響，其中對材料折射率虛部（吸收）的影響要遠大于實部。
如果利用硅材料對通信波段的光波進行調(diào)制，有如下經(jīng)驗公式：
應用范圍：常用材料為Si， Ansys Lumerical中的相關(guān)案例為：Traveling Wave Mach-Zehnder Modulator
上面介紹了電光調(diào)制中四種常見的物理效應，這四種物理效應對對硅材料光學性質(zhì)的影響可以總結(jié)如下：①由于硅晶格的中心反演對稱性，泡克耳斯效應是零。
②在1.31~1.55 um的通信波長范圍內(nèi)，硅中的F-K 效應幾乎為零。
③硅中的克爾效應是10-4數(shù)量級小于等離子體色散效應的10-3數(shù)量級。
因此，多數(shù)硅基電光調(diào)制器都是通過等離子體色散效應來實現(xiàn)的。OK，綜上所屬，我們從光學調(diào)制開始，介紹了光學調(diào)制的原理與分類，以及電光調(diào)制中四種常見的物理效應，后面我們將繼續(xù)介紹硅基光電調(diào)制器的性能指標、常用結(jié)構(gòu)等內(nèi)容，歡迎大家持續(xù)關(guān)注公眾號的更新。參考文獻：
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